上海望爵电子科技有限公司

SEMIWILL-IRF730-MOS管-场效应管-MOSFET

IRF730-MOS管-场效应管-MOSFET 概述场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9&Omeg... ...

P0300SC半导体固体放电管

概述：固体放电管（半导体放电管）是基于可控硅的原理和结构的一种二端负阻器件，用于保护敏感易损的集成电路，使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。它采用了的离子注入技术，具有导通、快速响应、浪... ...

SD24-TVS瞬态抑制二管-D静电护

SD24系列TVS二管-静电抑制器-D器件产品特性：◆封装形式：SOD-323◆额定功率： 500W◆工作电压：24V◆击穿电压：26.7V◆钳位电压：43V◆单路，单向保护产品参数表：主要用途：◆手机和配件◆基于微处理器的设... ...

SD12-TVS瞬态抑制二管-D静电护

SD12系列TVS二管-静电抑制器-D器件产品特性：◆封装形式：SOD-323◆额定功率： 500W◆工作电压：12V◆击穿电压：13.3V◆钳位电压：19V◆单路，单向保护产品参数表：主要用途：◆手机和配件◆基于微处理器的设... ...